CRYSTALAS CVL — C

Установка для резки и сверления отверстий

Установка «CRYSTALAS CVL — C» состоит из лазера на парах меди CVL-10 и камеры, содержащей оптическую систему и координатный стол для перемещения объекта.Лазер укомплектован телескопическим неустойчивым резонатором, который позволяет получать расходимость излучения близкую к дифракционному пределу. Это в свою очередь дает возможность формировать на поверхности обрабатываемого объекта пятно лазерной обработки диаметром от 10 до 50 мкм с плотность мощности до 10>11 Вт/см.кв. В сочетании с частотой следования импульсов 16000 Гц это позволяет проводить резку и сверление практически любых материалов толщиной до сотен микрометров с высокой скоростью (до 100 мм в секунду) с точностью 10 мкм. Важным применением установки «CRYSTALAS CVL — C» является скрайбирование полупроводниковых и сапфировых подложек с последующим их разделением на кристаллы. Ширина и глубина «скрайбированной дорожки» составляет несколько десятков микрометров.

В установке реализованы следующие режимы работы:

  • Сквозная резка материалов;
  • Скрайбирование с последующим разделением;
  • Сверление отверстий с удалением материала;
  • «Выпиливание» отверстий различной формы сканированием пучка.
Спецификация:
Материалы Металлы, пластмассы, полупроводники, керамика, сапфир
Толщина материала до 1 мм
Минимальный диаметр отверстия 30 мкм
Минимальная ширина реза 10 мкм
Поле обработки 100x100 мм
Скорость резки не более 100 мм в секунду
Координатная и оптические системы X,Y — координатный стол; Х,Y сканатор (по заказу); объектив f=100 мм; телескопический резонатор
Тип лазера лазер на парах меди CVL-10
Охлаждение воздушное
Питание 220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность 3 кВт
Габаритные размеры 1200x300x600 мм
Вес 75 кг
Исполнение настольное

Образцы лазерной резки

Резка сапфира

Скрайбирование кремневых пластин и лазерное сверление микроотверстий

Установка резки металла

Установка резки металлов укомплектована: лазером, координатным столом и системами управления. Предназначена данная установка для резки и сложно- контурного раскроя, гравировки, прошивки отверстий, сверления изделий из листового металла толщиной до 3 мм (сталь, нерж. сталь), до 2 мм для алюминия, 2 мм для латуни с высокой точностью и качеством обработки по контуру.Установка выполнена на базе твердотельного лазера с ламповой накачкой с использованием портального трех координатного стола (ХУZ). Данное оборудование производится на территории ООО НПО "Квантрон". Специалисты компании проводят обучение работе на данном высоко-технологичном оборудовании.

Спецификация:
Размер поля обработки, ммНе менее 800х800
Точность позиционирования, мкм 30
Максимальная контурная скорость движения: по осям «Х-Y», мм/сек 50
Повторяемость, мкм, не хуже10
Обрабатываемые материалыРезка и сложно- контурный раскрой, гравировка, прошивка отверстий, сверление изделий из листового металла толщиной до 3 мм (сталь, нерж. сталь) и до 2 мм для алюминия и латуни с высокой точностью и качеством обработки по контуру.
Твердотельный лазер с ламповой накачкой Технические характеристики используемого лазера: Средняя мощность – 250 -350Вт Частота следования импульсов- 5 - 100Гц Длительность импульса – 0,4-2 мс Длины волн излучения - 1,06 нм
Возможности программного обеспечения Файлы в DXF-формате для задания топологии обработки
Потребляемая мощность, кВтНе более 10
Габаритные размеры , мм 2000х1500х1500

CRYSTALAS CVL — M

Установка для лазерной маркировки изделий.

Установка «CRYSTALAS CVL — М» состоит из лазера на парах меди CVL-10, гальванометрического Х,У — сканатора для перемещения луча лазера по поверхности неподвижного объекта и фокусирующей оптической системы. Лазер укомплектован телескопическим неустойчивым резонатором, который позволяет получать расходимость излучения близкую к дифракционному пределу. Это в свою очередь дает возможность формировать на поверхности обрабатываемого объекта пятно лазерной обработки диаметром от 10 до 50 мкм с плотность мощности до 10>11 Вт/см.кв. В сочетании с частотой следования импульсов 16000 Гц это позволяет проводить маркировку практически любых материалов скоростью до 100 мм в секунду, с точностью 10 мкм.

Спецификация:
Материалы Металлы, пластмассы, полупроводники, керамика, сапфировые пластины
Минимальная ширина линии 10 мкм
Поле маркировки при неподвижном объекте 50x50 мм
Скорость Более 10 знаков в секунду
Оптическая система Х, Y сканатор, объектив f = 100 мм, телескопический резонатор
Тип лазера лазер на парах меди CVL-10
Охлаждение воздушное
Питание 220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность 3 кВт
Габаритные размеры 1200x300x600 мм
Вес 75 кг
Исполнение Настольное

CRYSTALAS CVL — MM

Установка для микромаркировки алмазов и других материалов

Лазерная маркировка материалов в последние годы нашла широкое применение в промышленности и в быту и используется как неотъемлемая часть представления информации об изделии. Рынок оборудования для лазерной маркировки составляет сотни миллионов долларов в год. Разработанная нами система предназначена для специальной маркировки, отличающейся от обычной чрезвычайно малыми (микронными) размерами. Данную маркировку невозможно увидеть невооруженным глазом. Для этого надо использовать специальные микроскопы в зависимости от материала объекта или универсальный считыватель, созданный нами для данной задачи. Главное назначение такой «скрытой» маркировки – борьба с подделкой ответственных и ценных изделий. Микромаркировка происходит за счет проекционного формирования мощного лазерного пучка в виде заданного рисунка или текста на поверхности объекта с помощью управляемой маски. Процесс микромаркировки чрезвычайно трудно реализовать известными методами лазерной маркировки. Этим объясняется практическое отсутствие аналогов созданного оборудования. Представляемая система состоит из лазерного усилителя на парах металлов и специальной проекционной оптической системы. Микромаркировка может быть нанесена практически на любые материалы: все металлы и сплавы, керамика, сапфир, пластик, драгоценные камни, композитные материалы и.др. За счет локального испарения материала маркировка обладает стойкостью к любым воздействиям и может сохраняться неограниченное время. Глубина маркировки составляет доли микрометра, что полностью исключает влияние маркировки на свойства и работу изделий. Это важно при маркировке ответственных авиационных, космических и других деталей. Уникальность системы заключается в возможности формирования рисунка с толщиной линии менее 1 мкм, а весь сложный рисунок может иметь размеры от 10 до 300 мкм, в зависимости от целей и степени защиты. Система «CRYSTALAS CVL — MM» используется для «скрытой» микромаркировки любых изделий в том числе алмазов и бриллиантов с целью их сертификации.

Спецификация:
Размер поля изображения 1-300 mkm
Минимальная ширина линии1 mkm
Глубина обработки до 0,4 mkm
Увеличение системы визуального наблюденияболее 1000x
Тип лазераЛазер на парах меди
ОхлаждениеВоздушное
Питание220 В, 50-60 Гц
Размеры1100x400x600 mm
Вес50 кг

Образцы микромаркировки

Маркировка драгоценных камней.

Маркировка различных материалов, деталей, изделий.

CRYSTALAS — LF

Установка для формирования фотографий и рисунков в прозрачных материалах

Установка «CRYSTALAS — LF» предназначена для производства нового типа адресных изделий — внутренних «лазерных фотографий», совмещенных с адресными объёмными изображениями, например: знаками зодиака, свадебной символикой, храмами и адресным текстом, например, поздравительным, а так же названиями и логотипами компаний и учреждений, в толсто-листовом оптическом стекле. Принцип действия установки основан на процессе получения внутри толщи стекла рассеивающей области — «точки», за счет концентрации лазерного излучения. Размер этой «точки» составляет несколько десятков микрометров. Обычно эта «точка» представляет собой локальный звездообразный раскол, что может стать причиной напряжений и привести к разрушению материала. В отличие от других, в установке «CRYSTALAS — LF» — в «точке» формируется оплавленная шарообразная зона, что позволяет получать рисунки в несколько миллионов точек фотографического качества. Из суперпозиции получаемых точек, по принципу принтера, формируется заданный рисунок, фотография, надпись и.т.д. При «перемещении» точки по 3 координатам получается объемное изображение объекта.

Спецификация:
Размер изображения (X, Y, Z) 350x350x50 мм
Минимальный размер точки20-100 мкм
Дискретность изображения100 мкм
Тип лазералазер на парах меди
Охлаждениевоздушное
Питание220 В, 50-60 Гц, одна фаза
Размеры, мм2000x1000x1500
Вес, кг150

CRYSTALAS — LF- max

Установка для формирования лазером изображений внутри стекла больших размеров

Особенности технологии заключаются в получении внутри стекла с помощью лазера точек формирующих изображение повышенной четкости, а изделие с сохранением исходной прочности. Широкое применение данная технология находит в дизайне интерьеров, особенно промышленных и коммерческих.

Спецификация:
Максимальный размер стекла 3000x2000x100 мм
Минимальная толщина стекла 4 мм
Максимальный размер рисунка2900х1900х90 мм
Скорость 16 000 точек/сек
Размер точки в стекле20 - 100 мк
Охлаждение воздушное
Питание 380 В
Размеры 3500х2500х1200 мм

Образцы стеклянных изделий в интерьере

CRYSTALAS CVL-MG

Установка для маркировки стеклянных изделий внутри материала

Установка «CRYSTALAS CVL-MG» предназначена для нанесения цифро-буквенной и графической информации внутри толщи стекла готовых стеклянных изделий: банок, бутылок, пробирок, ампул и.т.д. Установка состоит из мощного лазера на парах меди, гальванометрического ХУ- сканатора, оптической системы и системы программного управления. Установка «CRYSTALAS CVL-MG» позволяет формировать цифро-буквенную и графическую информацию внутри стекла толщиной не менее 2х мм со скоростью большей чем 10 знаков в секунду. Маркировка производится при неподвижном объекте. Режимы работы установки «CRYSTALAS CVL-MG» позволяют наносить маркировку в стекле не оптического качества.

МАЛК (Многоцелевой автоматизированный лазерный комплекс)

Установка для лазерной презиционной обработки и наблюдения объектов

Применения МАЛК:

  • Лазерные технологии;
  • Научные исследования;
  • Обучение.

Особенности МАЛК:

  • Синхронный с обработкой визуальный контроль;
  • Увеличение > 1000х;
  • Разрешение 0,5 μ;
  • Размер пятна обработки 0,5 — 2500 μ;
  • Плотность мощности 0 — 1011 Вт/см2;

Области научных исследований и обучения:

  • Оптика;
  • Нелинейная оптика;
  • Оптика атмосферы;
  • Спектроскопия;
  • Лазерная техника и технологии;
  • Микроскопия;
  • Микроэлектроника;
  • Получение наноматериалов;
  • Рекламно-информационные системы;
  • Микробиология;
  • Лазерная медицина.

Настольный вариант исполнения МАЛК

Контроль лазерной обработки на мониторе и на экране лазерного микропроектора

Реализуемые технологические процессы:

  • Фотостимулированные химические реакции;
  • Локальный нагрев и термообработка;
  • Модификация поверхностей и рекристаллизация;
  • Локальное испарение материала;
  • Локальное воздействие на биологические объекты;
  • Получение наноматериалов;
  • Лазерная маркировка, в том числе, микромаркировка;
  • Сверление микроотверстий в различных материалах;
  • Исправления дефектов микроструктур;
  • Лазерная литография;
  • Лазерная резка и скайбирование;
  • Подгонка параметров электронных компонентов;
  • Обработка тонких пленок;

Спецификация:
Фокусное расстояние объективов, мм 160903014
Увеличение лазерного проектора, крат1002005001000
Поле зрения проектора, мм1.9x2.50.95x1.30.4x0.510.2x0.25
Разрешающая способность проектора, мкм631.50.7
Диапазон размеров лазерной обработки, мкм10-25005-13002-5000.7-250
Тип лазералазер на парах меди CVL-10
Охлаждениевоздушное
Питание220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность3 кВт
Габаритные размеры1200x400x600 мм
Вес80 кг
ИсполнениеНастольное

Применение МАЛК

Получение наночастиц методом лазерной абляции в жидкости Au, Cu, Ag, W, Sb, Ni, C, CdS, SiO2, TiO2
Получение наночастиц кремния методом лазерного пиролиза
Удаление технологических перемычек на микросхеме
Коррекция дефектов алюминиевой маски толщиной 0,1 мкм
Воздействие на биологические объекты